Авторы доклада






Скачать 373.95 Kb.
НазваниеАвторы доклада
страница1/3
Дата публикации30.01.2015
Размер373.95 Kb.
ТипДоклад
e.120-bal.ru > Документы > Доклад
  1   2   3
Перечень докладов (на 9 сентября) на Первую Российско-белорусскую научно-техническую конференцию

«Элементная база отечественной радиоэлектроники», посвящённую 110-летию со дня рождения О. В. Лосева
Направление 1. Электрические, оптические, структурные и химические свойства полупроводниковых материалов. Физика полупроводниковых приборов. Приборы на квантовых эффектах. Моделирование на суперЭВМ методом молекулярной динамики физических процессов в материалах и компонентах электронной техники. Наноструктуры и нанотехнологии в микроэлектронике. Моделирование сложных наносистем, в том числе на суперЭВМ.




Название доклада

Авторы доклада

Структуры

1

НА ПОРОГЕ ЭРЫ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ. О.В. ЛОСЕВ

с.н.с, к.ф.-м.н. Остроумова Е.В.

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург



2


МОДЕЛИРОВАНИЕ НИЗКОРАЗМЕРНЫХ СУБМИКРОННЫХ ЭЛЕКТРОННЫХ СИСТЕМ В ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ GaAs/AlGaAs

к.ф.-м.н., с.н.с. Ткаченко О.А., к.ф.-м.н. Ткаченко В.А., д.ф.-м.н., проф. Квон З.Д., д.ф.-м.н., чл.-корр. РАН Латышев А.В., д.ф.-м.н., академик РАН Асеев А.Л.


Институт физики полупроводников им. А.В.Ржанова СО РАН, Новосибирск



3


МНОГОЗАТВОРНЫЙ 3х-МЕРНЫЙ ПРИБОР С ПОЛЕВЫМ УПРАВЛЕНИЕМ ТРАНСПОРТОМ ОТРИЦАТЕЛЬНО ЗАРЯЖЕННЫХ ЭКСИТОНОВ


член-корр. НАНБ, проф.,

д.т.н. Гурский Л.И., в.н. с,

к. ф.-м. н. Крылова Г. В. *


Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники (БГУИР), * Белорусский государственный университет (БГУ), Минск



4


Формирование и электронные свойства квантовых точек Ge в матрице Si — моделирование на супер-ЭВМ

член-корр. РАН Двуреченский А.В., к.ф.-м.н. Блошкин А.А., к.ф.-м.н. Зиновьев В.А., к.ф.-м.н. Ненашев А.В., к.ф.-м.н. Новиков П.Л., к.т.н. Поляков А.Ю., асп. Рудин С.А., к.ф.-м.н. Смагина Ж.В., д.ф.-м.н. Якимов А.И.



Институт физики полупроводников им. А.В.Ржанова СО РАН, Новосибирск



5


ДВОИЧНО-ВЗВЕШЕННЫЙ ЦУГОВЫЙ ЦАП ДЛЯ

НИЗКОВОЛЬТНЫХ КМОП-АЦП НА КНИ-ПОДЛОЖКАХ


аспирант Кононов В.С1.

инженер Зольников В.К.2

1 – Воронежский государственный технический университет

2 - Воронежская государственная лесотехническая академия





Название доклада

Авторы доклада

Структуры

6

НАЧАЛО ПРОМЫШЛЕННОГО ВЫПУСКА SiC ПОДЛОЖЕК И ПРИБОРОВ НА ИХ ОСНОВЕ


проф. Лебедев А.А.1, инж. Белов С.В.1, мнс. Лебедев С.П.1, инж. Литвин Д.П.1,2 , инж.Никитина И.П.1, инж. Васильев А.В. 2, к.ф.-м.н. Макаров Ю.Н.2, инж. Нагалюк С.С.2, к.ф.-м.н.Стрельчук А.М.1, к.т.н. Попов В.В.3, к.ф.-м.н. Вьюгинов В.Н.4, инж. Шифман Р.Г.4, инж. Кузмичёв Ю.С.4, инж. Травин Н.К.4, инж. Венедиктов О.В. 4.



1) Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, СПб,

2) ГК «Нитридные кристаллы» , СПб,

3) ОАО «Светлана», СПб,

4) ЗАО «Светлана-Электронприбор», СПб,


7

КРАЕВАЯ ИНЖЕКЦИОННАЯ

ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ В SiC pn СТРУКТУРАХ

с.н.с. Стрельчук А. М.


Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург



8

МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ КОНВЕКЦИИ-ДИФФУЗИИ В ТВЕРДОТЕЛЬНО-ЖИДКОСТНЫХ НАНОСТРУКТУРАХ ПЛАНАРНОГО ТИПА С

РАЗЛИЧНОЙ ГЕОМЕТРИЕЙ


студ. Касперович И.П.1,2,

к. ф.-м. н. Криштоп В. Г.1,2


1 Институт проблем технологии микроэлектроники и особо чистых материалов РАН, Черноголовка

2 Московский физико-технический институт, Долгопрудный


9


ИССЛЕДОВАНИЕ ТЕХНОЛОГИИ СОЗДАНИЯ МОЗАИЧНЫХ НЕОХЛАЖДАЕМЫХ МИКРОБОЛОМЕТРИЧЕСКИХ ПРИЕМНИКОВ ИНФРАКРАСНОГО И ТЕРАГЕРЦОВОГО СПЕКТРАЛЬНЫХ ДИАПАЗОНОВ ФОРМАТОМ ДО 3072×576 И БОЛЕЕ

с.н.с., к.ф.-м.н. М.А. Демьяненко1, в.н.с., к.ф.-м.н. Д.Г. Есаев1, с.н.с., к.ф.-м.н. А.Г. Клименко1, с.н.с., к.т.н. А.И. Козлов1, с.н.с. И.В. Марчишин1, с.н.с., к.т.н. А.Р. Новоселов2, проф., г.н.с., д.ф.-м.н. В.Н. Овсюк1

1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск

2Новосибирский филиал ИФП СО РАН «Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники»


10


ВНЕЭЛЕКТРОДНАЯ ПЛАЗМА ДЛЯ ЗАДАЧ

МИКРО- И НАНОТЕХНОЛОГИЙ



проф., д.ф.-м.н. Колпаков В.А.1,2


1Самарский государственный аэрокосмический университет имени академика С.П. Королёва,

2Институт систем обработки изображений РАН





Название доклада

Авторы доклада

Структуры

11

НАНОСТРУКТУРЫ НА ОСНОВЕ ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОЙ

АЛЮМООКСИДНОЙ ТЕХНОЛОГИИ

проф., д.т.н. Мухуров Н.И.,

доц., д.ф.-м.н. Гасенкова И.В.

Институт физики имени Б.И. Степанова НАН Беларуси, Минск


12

СПОСОБ ВОССТАНОВЛЕНИЯ ФОРМЫ ОПТИЧЕСКИХ СИГНАЛОВ С ДЛИТЕЛЬНОСТЬЮ МЕНЬШЕЙ ПОСТОЯННОЙ ВРЕМЕНИ ФОТОПРИЕМНИКА

доц., к.ф.-м.н. Гришаев В.Я.,

доц., к.ф.-м.н Никишин Е.В.,

асп. Пескова Е.Е.

Мордовский государственный университет им. Н.П. Огарева, Саранск


13

РАЗРАБОТКА СФ-БЛОКОВ ИНТЕГРАЛЬНОЙ МИКРОМОЩНОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ ДЛЯ ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНЫХ КРЕМНИЕВЫХ ФОТОЭЛЕКТРОННЫХ УМНОЖИТЕЛЕЙ

Зав НИЛ Симаков А.Б.,

доц. Бочаров Ю.И.,

асс. Бутузов В.А.



Национальный исследовательский ядерный университет МИФИ


14

МЕТАСТАБИЛЬНОСТЬ СПИНОВОГО ПЕРЕНОСА В СЛОИСТЫХ НАНОГЕТЕРОСТРУКТУРАХ С ДИНАМИЧЕСКИ СУПЕРСИММЕТРИЧНЫМИ СОСТОЯНИЯМИ

член-корр. НАНБ, проф.,

д.т.н. Гурский Л.И., в.н. с,

к. ф.-м. н. Крылова Г. В. *


Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники (БГУИР), * Белорусский государственный университет (БГУ), Минск

15

КВАЗИАКТИВНЫЕ УСТРОЙСТВА ЗАЩИТЫ ДЛЯ

ПРИЕМНИКОВ СВЧ ДИАПАЗОНА

И.В. Кручинин1,

д. т. н. О.С. Орлов2,

Н.В. Шипунова1

1 ЗАО НПП «Салют-25», Нижний Новгород, 2 ФГУП «НПП «Салют», Нижний Новгород


16


МОДУЛИ АЦП ДЛЯ МАТРИЧНЫХ КМОП ПРИЁМНИКОВ

нач. лаб., к.т.н. Бородин Д.В., доц. к.т.н. Певцов Е.Ф., нач. отд. к.т.н. Скрылев А.С., асп. Шнякин А.А.

Московский институт радиотехники, электроники и автоматики



17


ЭФФЕКТ РЕЗОНАНСНОГО ТУННЕЛИРОВАНИЯ НОСИТЕЛЕЙ И ЕГО ИСПОЛЬЗОВАНИЕ В ТРАНЗИСТОРАХ


доц., к. ф-м. наук Попов В. Г.1, 2


1Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, Черноголовка,

2Московский физико-технический институт (НИУ), Долгопрудный

Направление 2. Радиационностойкая микроэлектроника. Космические электронные компоненты и вопросы их сертификации. Доминирующие эффекты в полупроводниковой электронной компонентной базе при воздействии импульсных и стационарных ионизирующих излучений. Математические модели электронной компонентной базы при воздействии ионизирующих излучений. Проектирование современных радиационностойких интегральных схем и радиационностойкой радиоэлектронной аппаратуры. Имитационное моделирование на суперЭВМ при проектировании современных радиационностойких интегральных схем.




Название доклада

Авторы доклада

Структуры



1



РАДИАЦИОННОСТОЙКИЕ КМОП ИНТЕГРАЛЬНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ И СХЕМЫ

д.т.н. Богатырев Ю.В.1, член-корр. НАНБ, проф. Коршунов Ф.П.1, д.ф.-м.н. Грабчиков С.С.1, к.ф.-м.н. Ластовский С.Б.1, д.т.н. Турцевич А.С.2, директор НТЦ «Белмикросистемы» Шведов С.В.2, проф. Белоус А.И.2


1 ГНПО «НПЦ НАН Беларуси по материаловедению»,

2 ОАО «Интеграл», Минск



2


ПРОБЛЕМЫ И ОСОБЕННОСТИ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ КАРБИДА КРЕМНИЯ ПРИ РАЗРАБОТКЕ РАДИАЦИОННО СТОЙКОЙ ЭЛЕКТРОННОЙ КОМПОНЕНТНОЙ БАЗЫ

асп. Фиронов В.А., асп. Черных М.И., Ряскин И.В., Тарасов С.В,

д.т.н. проф. Зольников В.К, к.ф.м.н. Цоцорин А.Н., Дикарев В.И., к.т.н. Кожевников В.А.


ОАО «НИИ электронной техники», Воронеж


3


ОБЕСПЕЧЕНИЕ СТОЙКОСТИ МИКРОКОНТРОЛЛЕРОВ К ВОЗДЕЙСТВИЮ ТЯЖЕЛЫХ ЗАРЯЖЕННЫХ ЧАСТИЦ

проф.Зольников В.К. 1, нач. лаб. Яньков А.И.2, нач. лаб. Смерек В.А.2, зам.директора Ачкасов А.В. 2

1- Воронежская государственная лесотехническая академия,

2- ОАО НИИ электронной техники, Воронеж


4


ПРОЕКТИРОВАНИЕ РАДИАЦИОННО-СТОЙКОЙ ЭЛЕКТРОННОЙ КОМПОНЕНТНОЙ БАЗЫ

инженер Зольников К.В. 1,

инженер Стоянов А.А.1,

аспирант Кононов В.С. 2

1 - ОАО «НИИ электронной техники», Воронеж

2 - Воронежский государственный технический университет


5

МАТЕМАТИЧЕСКОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ ПРЕОБРАЗОВАНИЯ ЭЛЕМЕНТОВ С УЧЕТОМ РАДИАЦИИ СО СХЕМОТЕХНИЧЕСКОГО НА ФУНКЦИОНАЛЬНО-ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ

директор Ачкасов В.Н.,

инженер Зольников К.В., инженер Конарев М.В.



ОАО «НИИ электронной техники», Воронеж




Название доклада

Авторы доклада

Структуры



6

РЕЗУЛЬТАТЫ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИХ ИСПЫТАНИЙ ПО ОЦЕНКЕ ВОЗМОЖНОСТИ ПРИМЕНЕНИЯ ЭЛЕКТРОРАДИОИЗДЕЛИЙ ИНОСТРАННОГО ПРОИЗВОДСТВА В БЕССВИНЦОВОМ ИСПОЛНЕНИИ В АППАРАТУРЕ КОСМИЧЕСКОГО АППАРАТА

инж. Масич П.Ю.,

к.т.н. Подлесная Г.В.,

инж. Абубекарова Н.Р.,

асп. Казаков П.И.



ОАО «Корпорация космических систем специального назначения «Комета», Москва


7

ИССЛЕДОВАНИЕ ГАЗОВОЙ АТМОСФЕРЫ ПРИ ТЕРМОВАКУУМНЫХ ИСПЫТАНИЯХ ЭЛЕКТРОННЫХ БЛОКОВ КОСМИЧЕСКОГО АППАРАТА

асп. Волков А.Г.,

асп. Дюгаева Н.А.,

к.т.н. Подлесная Г.В.

ОАО «Корпорация космических систем специального назначения «Комета», Москва



8

ПРОЕКТИРОВАНИЕ И КОМПЬЮТЕРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ СОВРЕМЕННЫХ РАДИАЦИОННОСТОЙКИХ ОПЕРАЦИОННЫХ УСИЛИТЕЛЕЙ НА ОСНОВЕ ДИНАМИЧЕСКИХ

ТОКОВЫХ КАСКАДОВ


доц. Лебедев А.А.,

студ. Яковлева Н.М.



Московский

инженерно-физический

институт

9

ВОЗДЕЙСТВИЕ СПЕЦФАКТОРОВ НА ИСТОЧНИКИ ВТОРИЧНОГО ЭЛЕКТРОПИТАНИЯ

инж. Светлаков В.А.,

инж. Пронькин И.Г.

ФГУП НПО автоматики им. академика Н.А. Семихатова, Екатеринбург


10

ИЗУЧЕНИЕ ВОЗМОЖНОСТИ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ СУБ-100 НМ ТЕХНОЛОГИЙ ДЛЯ КОСМИЧЕСКИХ АППАРАТОВ С ДЛИТЕЛЬНЫМИ СРОКАМИ АКТИВНОГО ФУНКЦИОНИРОВАНИЯ

к.т.н. Горбунов М.С.1, Долотов П.С.1, к.т.н. Шунков В.Е.1, Антонов А.А.1, д.т.н. Зебрев Г.И.2, Емельянов В.В.3, Боруздина А.Б.2,4, Петров А.Г.2,4, к.т.н. Уланова А.В.2,4

1 НИИСИ РАН, Москва, 2 НИЯУ МИФИ, Москва, 3 ФГУП «НИИП», Лыткарино, 4 ОАО «ЭНПО «СПЭЛС», Москва



11

РАДИАЦИОННО-СТОЙКИЙ МИКРОКОНТРОЛЛЕР СО ВСТРОЕННЫМ АЦП, КОНТРОЛЛЕРОМ ИНТЕРФЕЙСА ГОСТ Р 52070-2003 И SPACE WIRE


нач. лаборатории Смерек В.А.


ОАО «НИИ электронной техники», Воронеж



12

ОПЫТ ИСПЫТАТЕЛЬНОГО ЦЕНТРА ОАО «НИИ КП» ПО КОНТРОЛЮ СТОЙКОСТИ ЭЛЕКТРОННОЙ КОМПОНЕНТНОЙ БАЗЫ К ВОЗДЕЙСТВИЮ ИОНИЗИРУЮЩИХ ИЗЛУЧЕНИЙ КОСМИЧЕСКОГО ПРОСТРАНСТВА

Заместитель генерального директора – заместитель главного конструктора В.С.Анашин, начальник сектора П.А.Чубунов, начальник группы Т.А.Симонова


ОАО «НИИ космического приборостроения», Москва






Название доклада

Авторы доклада

Структуры



13

ПОДХОД К ТЕСТИРОВАНИЮ СЛОЖНО-ФУНКЦИОНАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ ПРИМЕНЕННЫЙ ПРИ ИСПЫТАНИЯХ ДВУХПРОЦЕССОРНОЙ «СИСТЕМЫ НА КРИСТАЛЛЕ» НА БАЗЕ ЯДЕР 32-РАЗРЯДНЫХ ПРОЦЕССОРОВ ЦОС

к.т.н. Яньков А.И.1,

к.т.н. Ачкасов А.В.1,

Зольников К.В.1,

к.т.н. Конарев М.В.1,

к.т.н. Орликовский Н.А.2

1ОАО «НИИ электронной техники», Воронеж,

2 Физико - технологический институт РАН, Москва


14

ОСОБЕННОСТИ ИСПЫТАНИЙ СОВРЕМЕННЫХ СБИС И ФОРМИРОВАНИЕ ТРЕБОВАНИЙ К ПАРАМЕТРАМ-КРИТЕРИЯМ ГОДНОСТИ ИЭТ


к.т.н. Яньков А.И.


ОАО «НИИ электронной техники», Воронеж


15



О СОЗДАНИИ ЛОГИЧЕСКИХ ЭЛЕМЕНТОВ НА БАЗЕ НПС, РАБОТАЮЩИХ В ВЫСШИХ ЗОНАХ НЕУСТОЙЧИВОСТИ КОЛЕБАНИЙ, И СПОСОБЫ ИХ РЕАЛИЗАЦИИ НА НОВЫХ ТЕХНОЛОГИЯХ



Проф. д.ф.-м.н. Шеин А.Г.1,

проф., д.ф.-м.н. Синявский Г.П.2,

доц., к.т.н., д.ф.-м.н. Черкесова Л.В. 3,

вед. инж. Шаламов Г.Н.4

1 Волгоградский государственный технический университет

2 Южный федеральный университет

3 Донской государственный технический университет

4 Ростовский научно-исследовательский институт радиосвязи


16

РАБОТОСПОСОБНОСТЬ И НАДЁЖНОСТЬ КМОП ТРАНЗИСТОРОВ С НАНОМЕТРОВЫМИ ЭЛЕМЕНТАМИ ПРИ РАДИАЦИОННЫХ ВОЗДЕЙСТВИЯХ

д.ф.-м.н., зав. лаб. В. П. Попов,

М.А. Ильницкий


Институт физики полупроводников им. А.В.Ржанова СО РАН, Новосибирск

17

Приборно-технологическая модель СВЧ PHEMT транзистора на основе псевдоморфной гетероструктуры ALGaAs/InGaAs/GaAs

инж. Метелкин И.О.1, 2,

инж. Усачев Н.А.1,2


1ОАО «ЭНПО СПЭЛС», г. Москва,

2Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ» (НИЯУ МИФИ), г. Москва



18


РЕЗУЛЬТАТЫ СРАВНИТЕЛЬНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ ДОЗОВЫХ ЭФФЕКТОВ C ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ИСТОЧНИКОВ ГАММА И РЕНТГЕНОВСКОГО ИЗЛУЧЕНИЙ

Зам. руководителя испытательного центра, к.т.н. Бойченко Д.В.1,
зам. руководителя НТК, к.т.н. Кессаринский Л.Н.1, зам. генерального директора, к.т.н. Анашин В.С.2


1ОАО «ЭНПО СПЭЛС», Москва

2ОАО «НИИ Космического приборостроения, Москва





Название доклада

Авторы доклада

Структуры


19



РАЗРАБОТКА И ПРОИЗВОДСТВО КМОП БИС СОЗУ БОЛЬШОЙ ИНФОРМАЦИОННОЙ ЕМКОСТИ НА ОСНОВЕ КНИ СТРУКТУР


инж. Алиева Н.В.1, проф., д.т.н. Белоус А.И .1, доц., к.т.н. Бондаренко В.П.2, научный сотрудник Долгий Л.Н.2, инж. Лозицкий Е.А.1, инж. Сорока С.А. 1, проф., д.т.н. Турцевич А.С.1, инж. Шведов С.В.1, инж. Усов Г.И.1

1 Филиал НТЦ “Белмикросистемы” ОАО “ИНТЕГРАЛ” Минск,

2 Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники (БГУИР),

Минск



20

РАЗРАБОТКА МИКРОСХЕМЫ СтОЗУ 16 Мбит С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ КОМПЛЕКТУЮЩИХ ИЗДЕЛИЙ ИНОСТРАННОГО ПРОИЗВОДСТВА ФГУП «ФНПЦ НИИИС им. Ю.Е. Седакова»


к.т.н. Агарков И.М.,

инж. Федотов П.Е.


ФГУП ФНПЦ «Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова», Нижний Новгород


21



ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ И ТЕОРЕТИЧЕСКОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ПОВЕДЕНИЯ ФТОРА В ЗАХОРОНЕННОМ ДИЭЛЕКТРИКЕ КОМПОЗИЦИЙ КНИ


инж. Гуськова О.П 1,2.,

проф. Воротынцев В.М.2,

инж. Абросимова Н.Д1.,

нач. сектора., к.ф.м.н. Шоболов Е.Л. 1, нач.сектора Минеев1 М.Н.

ФГУП ФНПЦ «Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова»1 , Нижний Новгород, Нижегородский государственный технический университет им. Р.Е. Алексеева2



22

ПРОГРАММА ФИЗИКО-ТОПОЛОГИЧЕСКОГО МОДЕЛИРОВАНИЯ ПРОЦЕССОВ В ПЕРСПЕКТИВНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРАХ С УЧЕТОМ РАДИАЦИОННОГО ВОЗДЕЙСТВИЯ С РАСПАРАЛЛЕЛИВАНИЕМ ВЫЧИСЛЕНИЙ

д.ф.-м.н., с.н.с. Киселев В.К.,

д.т.н., доцент Оболенский С.В., к.ф. м.н. Пузанов А.С.,

Скупов А.В.


ФГУП ФНПЦ «Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова», Нижний Новгород



23

ИСПОЛЬЗОВАНИЕ КОМПЬЮТЕРНЫХ ИМИТАЦИОННЫХ МЕТОДОВ АППРОКСИМАЦИИ SPICE-ПАРАМЕТРОВ ДЛЯ ПРОГНОЗИРОВАНИЯ ДОЗОВЫХ ЭФФЕКТОВ БОЛЬШИХ УРОВНЕЙ РАДИАЦИОННОЙ НАГРУЗКИ В БИС ТЕХНОЛОГИИ КМОП/КНД

Качемцев А.Н.,

д. ф.-м.н. Киселев В.К.,

Субботин А.Е.,

к.т.н. Торохов С.Л.

ФГУП ФНПЦ «Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова», Нижний Новгород

24

ОЦЕНКА УРОВНЯ СБОЕУСТОЙИВОСТИ ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ ИМПУЛЬСНЫХ РАДИАЦИОННЫХ НАГРУЖЕНИЙ НА БИС ТЕХНОЛОГИИ КМОП/КНД ПО РЕЗУЛЬТАТАМ КОМПЛЕКСНОЙ ОБРАБОТКИ ИНФОРМАЦИИ

Качемцев А.Н.,

д. ф.-м.н. Киселев В.К.,

Субботин А.Е.,

к.т.н. Торохов С.Л.

ФГУП ФНПЦ «Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова», Нижний Новгород






Название доклада

Авторы доклада

Структуры


25

РЕШЕНИЕ ПРИКЛАДНЫХ ЗАДАЧ КУЛОНОМЕТРИЧЕСКИМ МЕТОДОМ В РАДИАЦИОННЫХ ЭКСПЕРИМЕНТАХ С БИС ТЕХНОЛОГИИ КМОП/КНД

Качемцев А.Н.,

д. ф.-м.н. Киселев В.К.,

Субботин А.Е.,

к.т.н. Торохов С.Л.

ФГУП ФНПЦ «Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова», Нижний Новгород


26

НОВЫЕ МИКРОЭЛЕКТРОННЫЕ ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНЫЕ СЕНСОРЫ С ПОВЫШЕННОЙ НАДЕЖНОСТЬЮ В ЭКСТРЕМАЛЬНЫХ УСЛОВИЯХ ЭКСПЛУАТАЦИИ (РАДИАЦИЯ, ТЕМПЕРАТУРА)

В.Н Мордкович ¹,

А.В. Леонов ¹,

Д.М.Пажин ¹,

М.И. Павлюк ²

¹ Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, Черноголовка,

² ЗАО «ПКК Миландр», Зеленоград


27


асинхронные микропроцессоры для космических систем

д.т.н. Бобков С.Г. 1, Сурков А.В.1, к.т.н. Степченков Ю.А.2, к.т.н. Дьяченко Ю.Г.2

НИИ системных исследований РАН,

2 Институт проблем информатики РАН


28


САМОСИНХРОННЫЙ Базис реализации радиационностойких микросхем

д.т.н. Бобков С.Г.1, к.т.н. Степченков Ю.А.2, к.т.н. Плеханов Л.П2., к.т.н. Дьяченко Ю.Г.2, Сурков А.В.1

НИИ системных исследований РАН,

2 Институт проблем информатики РАН


Направление 3. Оптоэлектроника, в том числе оптоэлектронные приборы на гетероструктурах, гетероструктурная СВЧ-электроника, волоконная оптика, акустоэлектроника, фрактальные радиоэлементы, пассивная элементная база: устройства и материалы.



Название доклада

Авторы доклада

Структуры


1


АКУСТОЭЛЕКТРОННАЯ ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА



к. т. н., доц. Балышева О.Л.



Санкт-Петербургский государственный университет аэрокосмического приборостроения

2

Оптоэлектронный генератор СВЧ с полностью оптическим усилением

к.ф.-м.н. Чиж А. Л., асп. Микитчук К. Б., д.ф.-м.н. Малышев С. А.

Институт физики им. Б. И. Степанова НАНБ, Минск



3



МОЩНЫЙ СВЧ-ФОТОДИОД ДЛЯ СИСТЕМ РАДИОЛОКАЦИИ И РАДИОСВЯЗИ

д.ф.-м.н. Малышев С.А. 1, к.ф.-м.н. Чиж А.Л. 1, к.ф.-м.н. Хорунжий И.А. 2, д.ф.-м.н. Доманевский Д.С. 2, Тептеев А.А. 3, Гущинская Е.В. 1, Романова Л.И. 1

Институт физики им. Б. И. Степанова НАНБ, Белорусский национальный технический университет, ОАО «Минский НИИ радиоматериалов»


4


ФОТОННЫЕ УСТРОЙСТВА ОБРАБОТКИ И КОММУТАЦИИ ОПТИЧЕСКОГО СИГНАЛА


в.н.с. Перепелицын Ю.Н.1,

к.т.н. Жаворонков Н.В.2

1 Саратовский филиал ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН, 2 ЗАО «НИИ Материаловедения», Зеленоград


5



МОЩНЫЕ СВЕТОДИОДЫ В СРЕДНЕЙ ИК ОБЛАСТИ СПЕКТРА (1,6 –4,6 МКМ) НА ОСНОВЕ УЗКОЗОННЫХ СОЕДИНЕНИЙ III-V

проф., д.ф.-м.н. Яковлев Ю.П.1, снс, к.ф.-м.н. Шерстнев В.В.1, гнс, д.ф.-м.н. Михайлова М.П.1, снс, к.ф.-м.н. Гребенщикова Е.А.1, асп., Слобожанюк С.И. 1, нс, к.ф.-м.н. Иванов Э.В. 2, снс. к.ф.-м.н. Ильинская Н.Д.1, нс, к.ф.-м.н. Серебренникова О.Ю.2



1 Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН, Санкт-Петербург,
2 ООО «АИБИ», Санкт-Петербург,



6

ОТЕЧЕСТВЕННЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ЦЕПЕЙ С ФРАКТАЛЬНЫМ ИМПЕДАНСОМ: ОТ ТЕОРИИ К ПРАКТИКЕ


проф. Ушаков П.А.1,

преп. Максимов К.О.1,

инж. Мерзляков Ю.В.2


1 Ижевский государственный технический университет имени М.Т. Калашникова, 2 ОАО «Ижевский радиозавод», ООО «ИРЗ «ТЕСТ»


7


ЛАЗЕРНЫЕ СВЕРХРЕШЁТКИ


кфмн Довженко А.Ю., акад. РАН Мержанов А.Г., дфмн Руманов Э.Н.


Институт структурной макрокинетики и проблем материаловедения, Черноголовка





Название доклада

Авторы доклада

Структуры


8

СРАВНЕНИЕ ВЕЛИЧИНЫ СВЧ ПОТЕРЬ В GAAS ГОМОСТРУКТУРНЫХ И ALGAAS/GAAS ГЕТЕРОСТРУКТУРНЫХ PIN-ДИОДАХ

инж. Шестаков А.К.,

д.ф.-м. Журавлев К.С.


Институт физики полупроводников им. А.В.Ржанова СО РАН, Новосибирск


9



МНОГОКАНАЛЬНЫЕ АКТИВНЫЕ ОПТИЧЕСКИЕ КАБЕЛИ СО СКОРОСТЬЮ ПЕРЕДАЧИ ДАННЫХ ДО 14 ГБИТ/С на 1 КАНАЛ


к.ф.-м.н. Карачинский Л.Я.1,2, к.ф.-м.н. Блохин С.А.1,2, к.ф.-м.н. Новиков И.И.1,2, к.т.н. Щербаков В.В.3, к.ф.-м.н. Климов Ю.А.4, чл.-корр. РАН Абрамов С.М.4

1 ООО «Коннектор Оптикс»,

2 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург,

3 ЗАО «Центр ВОСПИ»,

4 Институт программных систем им. А.К. Айламазяна РАН, Переяславль-Залесский

10

НОВЫЕ ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ АНАЛОГОВЫЕ И ЦИФРОВЫЕ УСТРОЙСТВА НА ОСНОВЕ РЕЗИСТОРНОГО ОПТРОНА

проф. Денисов Б.Н.,

асп. Зазулин Я.А.


Мордовский государственный университет им. Н.П. Огарева, Саранск


11

ВОЛОКОННО-ОПТИЧЕСКАЯ РАСПРЕДЕЛИТЕЛЬНАЯ СИСТЕМА ДЛЯ АКТИВНЫХ ФАЗИРОВАННЫХ АНТЕННЫХ РЕШЕТОК

к.ф.-м.н. Чиж А.Л.,

д.ф.-м.н. Малышев С.А.


Институт физики им. Б. И. Степанова НАНБ, Минск

12

ФРАКТАЛЬНЫЕ РАДИОСИСТЕМЫ, ОБНАРУЖИТЕЛИ СИГНАЛОВ И ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА КАК ПРИМЕР РЕАЛИЗАЦИИ ФРАКТАЛЬНОЙ ПАРАДИГМЫ И ГЛОБАЛЬНОГО ФРАКТАЛЬНО-СКЕЙЛИНГОВОГО МЕТОДА В РАДИОФИЗИКЕ, ОБРАБОТКЕ СИГНАЛОВ И РАДИОЛОКАЦИИ


д.ф.-м.н., проф., академик АИН им. А.М. Прохорова и РАЕН Потапов А.А.



Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Москва


13

ПЕРСПЕКТИВЫ РАЗВИТИЯ НИТРИДНЫХ СВЧ ПРИБОРОВ МИЛЛИМЕТРОВОГО ДИАПАЗОНА ЗА РУБЕЖОМ И В РОССИИ

д.т.н., проф. Мальцев П. П.,

Фёдоров Ю.В.

Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН, Москва


14

ПРИМЕНЕНИЕ СТОХАСТИЧЕСКИХ ФРАКТАЛЬНЫХ ЛАБИРИНТОВ В ПРОЕКТИРОВАНИИ ПАССИВНЫХ РАДИОКОМПОНЕНТОВ И ФРАКТАЛЬНЫХ АНТЕННЫХ РЕШЕТОК С БОЛЬШИМ ЧИСЛОМ ИЗЛУЧАТЕЛЕЙ

д.ф.-м.н., проф., академик АИН им. А.М. Прохорова и РАЕН Потапов А.А., асп. Слезкин Д.В

Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Москва




Название доклада

Авторы доклада

Структуры

15

ПРОБЛЕМЫ И РЕШЕНИЯ КОМПЛЕКСНОЙ МИНИАТЮРИЗАЦИИ УСТРОЙСТВ СВЧ И КВЧ ДИАПАЗОНОВ

д.т.н. Орлов О.С. 1,

к.т.н. Бабунько С.А. 2


1 ОАО НПП «Салют», Нижний Новгород, 2 ЗАО «НПП «Салют-27», Нижний Новгород

16

CВЧ АКУСТОЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ. ПЕРСПЕКТИВЫ РАЗВИТИЯ.

к. ф.-м. н. Двоешерстов М.Ю., к. ф.-м. н. Чередник В.И., Босов С.И.

ОАО «КБ «Икар», ННГУ им. Н.И. Лобачевского

17

Элементная база КВЧ диапазона на основе диэлектрических структур: полувековой путь отечественных НИОКР и перспективы технологического развития

д.т.н., проф. Взятышев В.Ф.1; д.т.н., проф. Банков С.Е.2,1; д.т.н. Орехов Ю.И.3; к.т.н., проф. Штыков В.В.1; к.т.н., доц. Крутских В.В.1; инж. Панкратов А.Г.4; инж.-иссл. Чуркин С.С.3,4; к.т.н., доц. Владимиров С.В.1

1 Национальный исследовательский университет «Московский энергетический институт» (НИУ МЭИ), Москва, 2 Институт радиотехники и электроники
им. В.А. Котельникова РАН, Москва

3 Научно-исследовательский институт измерительных систем (НИИИС), Нижний Новгород

4 ООО «АФС-52», Нижний Новгород


Направление 4. Технологии получения материалов для элементной базы отечественной радиоэлектроники, а также методы их исследования: сканирующая зондовая микроскопия, рентгеноструктурный анализ и. т. д. Оптическая, рентгеновская и электронная литография. Моделирование на суперЭВМ технологических процессов микроэлектроники.



Название доклада

Авторы доклада

Структуры


1


СТРУКТУРНЫЕ И ТЕПЛОВЫЕ СВОЙСТВА ХАЙКОКИТА Cu4Fe5S8



доц. Корзун Б.В.1, асп. Гавриленко А.Н.2, проф. Соболь В.Р.3, проф. Матухин В.Л.2, Prof. Schorr S.4, 5

1ГНПО “НПЦ НАНБ по материаловедению”, Минск,

2 Казанский государственный энергетический университет,

3Белорусский государственный педагогический университет имени Максима Танка, Минск, 4Freie Universität Berlin, 5Helmholtz Zentrum Berlin für Materialen und Energie

2

РЕНТГЕНОВСКИЕ МЕТОДЫ ДИАГНОСТИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ И СТРУКТУР


член-корр. РАН Аристов В.В.,

д. ф.-м. н. Рощупкин Д.В.,

д. ф.-м. н. Якимов Е.Б.

Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, Черноголовка

3

РАЗРАБОТКА ЭЛЕКТРОННО-ЗОНДОВОГО ОБОРУДОВАНИЯ ДЛЯ НАНОТЕХНОЛОГИЙ И ДИАГНОСТИКИ

член-корр. РАН Аристов В.В.,

д. ф.-м. н. Казьмирук В.В

Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, Черноголовка

4

Характеризация Наноструктур методами растровой электронной микроскопии


д.ф.-м.н., проф. Е.Б. Якимов


Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, Черноголовка


5


РАСШИРЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ ЭЛЕКТРОННЫХ СИСТЕМ ЗА СЧЁТ ПРИМЕНЕНИЯ ПЛАЗМЕННЫХ ПРОЦЕССОВ

зав. лаб., доц., к.т.н. Шаповал С.Ю., с. н. с. Ковальчук А.В., н.с. Холопова Ю.С., м.н.с. Ермолаев Д.М., н.с., к.т.н. Земляков В.Е.

Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, Черноголовка


6

ИССЛЕДОВАНИЕ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КАРБИДА КРЕМНИЯ, ВЫРАЩЕННЫХ МЕТОДОМ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОГО ОСАЖДЕНИЯ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ

д.т.н., проф. Гейфман Е.М.,

к.т.н. Гарцев Н.А.,

Давыдова Н.М.


ЗАО НПК «Электровыпрямитель», Саранск

  1   2   3

Добавить документ в свой блог или на сайт

Похожие:

Авторы доклада iconДоклад «Культурные факторы модернизации»
Авторы доклада: А. А. Аузан (руководитель проекта), А. Н. Архангельский, П. С. Лунгин, В. А. Найшуль

Авторы доклада iconК тексту доклада обязательно прилагаются аннотации на языке статьи...
В начале текста указывается удк, инициалы и фамилия автора, ученая степень, ученое звание, полное название организации, города, страны....

Авторы доклада iconС. О. Абетковская1, Н. В. Карелин1, А. А. Суслов2
...

Авторы доклада iconАнкета для подготовки сводного доклада: «Город на воде: опыт, проблемы и перспективы»
Анкета предназначена для составления обобщающего доклада по теме

Авторы доклада iconНаучного доклада должна быть очень
Материал для доклада может черпаться из самых разных источников: монографий, научных журналов, в том числе иностранных, из сети Интернет,...

Авторы доклада iconМуниципальное Автономное Общеобразовательное Учреждение Константиновская...
Авторы: А. О. Сороко-Цюпа, О. Ю. Стрелова». Программа обеспечивается умк «Новейшая история зарубежных стран. XX – начало XXI в. Авторы:...

Авторы доклада iconОсновные правила оформления материалов для размещения в журнале «Экономика...
Авторы принимают на себя ответственность за то, что данный материал не издавался ранее, не находится на рассмотрении для публикации...

Авторы доклада iconКнига решений. 50 моделей стратегического мышления Авторы используют слово «модель»
Авторы используют слово «модель» не совсем так, как мы привыкли на бытовом уровне. Хотя… именно так, как это должно быть! Их подход...

Авторы доклада iconТезисы доклада члена Президиума Регионального политического совета,...
Тезисы доклада члена Президиума Регионального политического совета, главы города Владивостока И. С. Пушкарёва

Авторы доклада iconТезисы доклада на заседании постоянно действующего семинара «Современные проблемы развития»
Тезисы доклада на заседании постоянно действующего семинара «Современные проблемы развития» в имэмо ран






При копировании материала укажите ссылку © 2016
контакты
e.120-bal.ru
..На главную